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因中國(guó)價(jià)格戰(zhàn)和Wolfspeed不確定性瑞薩電子放棄SiC生產(chǎn)計(jì)劃

根據(jù) MoneyDJ 援引日經(jīng)新聞的一份報(bào)告，電動(dòng)汽車(chē) （EV）市場(chǎng)增長(zhǎng)放緩，加上中國(guó)制造商增產(chǎn)導(dǎo)致供應(yīng)過(guò)剩，導(dǎo)致價(jià)格下跌，據(jù)報(bào)道，這促使日本半導(dǎo)體巨頭瑞薩電子放棄了生產(chǎn)電動(dòng)汽車(chē)碳化硅功率半導(dǎo)體的計(jì)劃。日經(jīng)新聞指出，瑞薩電子最初計(jì)劃于 2025 年初在其位于群馬縣的高崎工廠開(kāi)始生產(chǎn)用于電動(dòng)汽車(chē)的 SiC 功率芯片。然而，該公司此后解散了高崎工廠的 SiC 團(tuán)隊(duì)。日經(jīng)新聞補(bǔ)充說(shuō)，預(yù)計(jì)與中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)將在中長(zhǎng)期內(nèi)加劇，這使得瑞薩電子作為后來(lái)者很難從 SiC 芯片生產(chǎn)中快速獲利。根
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Wolfspeed破產(chǎn)傳聞使瑞薩電子20億SiC供應(yīng)交易面臨風(fēng)險(xiǎn)

據(jù)日本媒體《日刊工業(yè)新聞》報(bào)道，據(jù)報(bào)道，總部位于美國(guó)的碳化硅晶圓生產(chǎn)商 Wolfspeed 正在申請(qǐng)第 11 章破產(chǎn)保護(hù)。報(bào)告指出，這一發(fā)展促使日本公司（包括與 Wolfspeed 簽訂了 10 年供應(yīng)協(xié)議的瑞薩電子以及 Rohm）重新評(píng)估其戰(zhàn)略計(jì)劃。正如日刊工業(yè)新聞所說(shuō)，瑞薩電子可能會(huì)受到影響，因?yàn)槠渑c Wolfspeed 于 2023 年簽署了 20 億美元的預(yù)付款 10 年碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議。報(bào)告指出，如果 Wolfspeed 根據(jù)美國(guó)破產(chǎn)法第 11 章申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)，瑞薩電子可能
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將電流傳感器集成到EV用SiC功率模塊中

功率半導(dǎo)體研究實(shí)驗(yàn)室 Silicon Austria Labs （SAL）完成了將電流傳感器集成到電源模塊中的概念驗(yàn)證，該模塊旨在用于電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。該實(shí)驗(yàn)室表示，這項(xiàng)技術(shù)可以提高效率，同時(shí)減小牽引逆變器和其他基于下一代碳化硅（SiC）功率器件的超大電流電力電子設(shè)備的尺寸和重量。新功率模塊的核心是由 Asahi Kasei Microdevices 設(shè)計(jì)的非接觸式、無(wú)磁芯電流傳感器。新芯片取代了當(dāng)今許多電動(dòng)汽車(chē)中部署的基于磁芯的電流傳
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驅(qū)動(dòng)汽車(chē)電子創(chuàng)新：RIGOL CAN-FD總線(xiàn)分析解決方案

在當(dāng)今快速發(fā)展的汽車(chē)行業(yè)中，智能化、網(wǎng)聯(lián)化和自動(dòng)駕駛技術(shù)的興起正在重塑汽車(chē)的電子架構(gòu)。隨著車(chē)輛功能的日益復(fù)雜，從高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）到車(chē)聯(lián)網(wǎng)（V2X）通信，再到整車(chē)級(jí)的軟件更新（OTA），汽車(chē)內(nèi)部的數(shù)據(jù)傳輸需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。傳統(tǒng) CAN 總線(xiàn)技術(shù)由德國(guó)博世公司于1986年推出，在面對(duì)當(dāng)今復(fù)雜多變的汽車(chē)電子架構(gòu)時(shí)，已逐漸顯露出其性能瓶頸。為了突破這一限制，滿(mǎn)足汽車(chē)行業(yè)對(duì)高速數(shù)據(jù)傳輸和高可靠性通信的需求，2015年由ISO 11898-1標(biāo)準(zhǔn)定義，CAN-FD（CAN with Flexible Da
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東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開(kāi)關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。四款器件于今日開(kāi)始支持批量出貨。四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體
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東芝在SiC專(zhuān)利申請(qǐng)中挑戰(zhàn)泰科天潤(rùn)

中國(guó)功率芯片開(kāi)發(fā)商泰克天潤(rùn)（Global Power Technology）在碳化硅（SiC）功率技術(shù)專(zhuān)利申請(qǐng)排名中面臨東芝的挑戰(zhàn)。法國(guó)分析機(jī)構(gòu) KnowMade 的最新數(shù)據(jù)顯示，2025 年第一季度全球申請(qǐng)了 840 多個(gè)新專(zhuān)利族。本季度的專(zhuān)利申請(qǐng)活動(dòng)以東芝在 SiC 功率器件專(zhuān)利領(lǐng)域的加速發(fā)展為標(biāo)志，以匹配 Global Power Technology的專(zhuān)利數(shù)量。這家中國(guó)公司在過(guò)去四個(gè)季度一直是排名靠前的專(zhuān)利申請(qǐng)人，幾乎完全專(zhuān)注于 SiC MOSFET 結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)。第一季度授予了 420 多個(gè)
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CHIPS 法案、電動(dòng)汽車(chē)關(guān)稅加劇了Wolfspeed的現(xiàn)金危機(jī)

在特朗普政府縮減美國(guó)《芯片法案》并提升汽車(chē)關(guān)稅后，Wolfspeed（歐勝）的新任首席執(zhí)行官需要面臨更為嚴(yán)峻的現(xiàn)金危機(jī)。作為車(chē)用碳化硅行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，Wolfspeed近年來(lái)投入數(shù)十億美元在美國(guó)建立SiC制造能力，可惜備受汽車(chē)經(jīng)濟(jì)低迷和關(guān)稅前景的打擊陷入持續(xù)虧損中，現(xiàn)在公司轉(zhuǎn)向提供AI數(shù)據(jù)中心電源以促進(jìn)增長(zhǎng)，不過(guò)該公司正在尋求第11章法規(guī)的債權(quán)保護(hù)?！白鳛槲覀冑J方談判的一部分，我們可能會(huì)選擇在法庭內(nèi)或庭外尋求選擇，”兩周前接任首席執(zhí)行官的羅伯特·費(fèi)爾（Robert Feurle）說(shuō)。據(jù)報(bào)道，資產(chǎn)管理公
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SiC開(kāi)始加速批量上車(chē)

在新能源汽車(chē)技術(shù)的演進(jìn)歷程中，碳化硅（SiC）技術(shù)已成為推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。作為第三代半導(dǎo)體的代表材料，SiC 憑借其卓越的性能優(yōu)勢(shì)，已深度融入新能源汽車(chē)的核心系統(tǒng)，開(kāi)啟了新能源汽車(chē)性能提升與技術(shù)創(chuàng)新的新篇章。從高端豪華車(chē)型到大眾普及款，從純電動(dòng)到混合動(dòng)力，SiC 技術(shù)的應(yīng)用范圍不斷拓展，正以前所未有的速度實(shí)現(xiàn)批量上車(chē)，重塑新能源汽車(chē)的技術(shù)格局與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)。碳化硅實(shí)現(xiàn)多價(jià)格區(qū)間車(chē)型覆蓋SiC 技術(shù)已成為車(chē)企在新能源汽車(chē)賽道上差異化競(jìng)爭(zhēng)的核心要素，如今已廣泛覆蓋 10 萬(wàn)至 150 萬(wàn)元價(jià)格區(qū)間的車(chē)型
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SiC襯底市場(chǎng) 去年?duì)I收減9%

TrendForce最新研究，2024年汽車(chē)、工業(yè)需求走弱，SiC基板出貨量成長(zhǎng)放緩，與此同時(shí)，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇，產(chǎn)品價(jià)格大幅下跌，導(dǎo)致2024年全球N-type（導(dǎo)電型）SiC基板產(chǎn)業(yè)營(yíng)收年減9%，為10.4億美元。進(jìn)入2025年，即便SiC基板市場(chǎng)持續(xù)面臨需求疲軟、供給過(guò)剩的雙重壓力，然而，長(zhǎng)期成長(zhǎng)趨勢(shì)依舊不變，隨著成本逐漸下降、半導(dǎo)體元件技術(shù)不斷提升，未來(lái)SiC應(yīng)用將更為廣泛，特別是在工業(yè)領(lǐng)域的多樣化。同時(shí)，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈的環(huán)境下，加速企業(yè)整合，重新塑造產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局。TrendForce分析各供應(yīng)商營(yíng)收
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內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊被SMA的太陽(yáng)能系統(tǒng)采用

全球先進(jìn)的太陽(yáng)能發(fā)電及儲(chǔ)能系統(tǒng)技術(shù)的專(zhuān)業(yè)企業(yè)SMA Solar Technology AG（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SMA”）在其太陽(yáng)能系統(tǒng)新產(chǎn)品“Sunny Central FLEX”中采用了內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊?！癝unny Central FLEX”是為大規(guī)模太陽(yáng)能發(fā)電設(shè)施、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及下一代技術(shù)設(shè)計(jì)的模塊化平臺(tái)，旨在進(jìn)一步提高電網(wǎng)的效率和穩(wěn)定性。羅姆半導(dǎo)體歐洲總裁Wolfram Harnack表示：“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實(shí)
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英飛凌重返SiC JFET，實(shí)現(xiàn)更智能、更快速的固態(tài)配電

Infineon Technologies 開(kāi)發(fā)了用于固態(tài)保護(hù)和配電設(shè)計(jì)的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產(chǎn)品。JFET 通過(guò)反向偏置 PN 結(jié)上的電場(chǎng)來(lái)控制電導(dǎo)率，而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場(chǎng)。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss）和 2.3 mΩ （1200 V BDss）的超低 R DS（ON），可顯著降低導(dǎo)通損耗。大體通道優(yōu)化的 SiC JFET 在短路
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新型SiC模塊，可將安裝面積減少一半

ROHM宣稱(chēng)其新型SiC模塊已「達(dá)到業(yè)界頂級(jí)水平」，這使得安裝面積顯著減少。
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格力家用空調(diào)搭載SiC芯片突破100萬(wàn)臺(tái)

4月22日下午，格力電器召開(kāi)2025年第一次臨時(shí)股東大會(huì)，相比過(guò)往歷次股東大會(huì)都被安排在格力地產(chǎn)總部辦公樓，本次股東大會(huì)首次被安排在格力電器珠海碳化硅芯片工廠舉行。據(jù)悉，該工廠自2024年投產(chǎn)以來(lái)，其碳化硅功率芯片在家用空調(diào)中的裝機(jī)量已經(jīng)突破100萬(wàn)臺(tái)。SiC材料具有高耐壓、高頻率、高效率等優(yōu)勢(shì)，能夠顯著提升空調(diào)的能效。搭載SiC芯片后，空調(diào)的電能轉(zhuǎn)換效率得到優(yōu)化，制冷制熱效果增強(qiáng)，實(shí)現(xiàn)能耗降低，同時(shí)可以提升產(chǎn)品性能、降低能耗，增強(qiáng)格力空調(diào)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。格力該工廠是全球第二座、亞洲首座全自動(dòng)化6英寸碳化硅
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南芯科技推出車(chē)規(guī)級(jí)高速CAN/CAN FD協(xié)議收發(fā)器

近日，南芯科技宣布推出車(chē)規(guī)級(jí)高速 CAN/CAN FD 收發(fā)器 SC25042Q，適用于12V 和 24V 汽車(chē)系統(tǒng)，可直接連接 3V-5V 的微控制器，支持高達(dá) 5Mbit/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率。SC25042Q 集成了振鈴抑制功能，抗電磁干擾能力強(qiáng)，可實(shí)現(xiàn)無(wú)損時(shí)間傳輸，保證信號(hào)的高效可靠。該產(chǎn)品通過(guò) AEC-Q100 認(rèn)證，符合 ISO 11898-2:2016、SAE J2284-1 至 SAE J2284-5 標(biāo)準(zhǔn)，為車(chē)規(guī)級(jí)接口提供了高性能、高性?xún)r(jià)比的國(guó)產(chǎn)化選擇。全國(guó)產(chǎn)化產(chǎn)品，重塑車(chē)載CAN總線(xiàn)隨著
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清純半導(dǎo)體和微碧半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品

近日，清純半導(dǎo)體和VBsemi（微碧半導(dǎo)體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，標(biāo)志著功率半導(dǎo)體技術(shù)在快充效率、高功率密度應(yīng)用等領(lǐng)域取得了重大突破。01清純半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)4月21日，清純半導(dǎo)體官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)平臺(tái)，該平臺(tái)首款主驅(qū)芯片（型號(hào)：S3M008120BK）的常溫導(dǎo)通電阻低至8mΩ，比導(dǎo)通電阻系數(shù)Rsp達(dá)到2.1 mΩ·cm2，處于國(guó)際領(lǐng)先水平。source：清純半導(dǎo)體（圖為清純半導(dǎo)體1、2、3代產(chǎn)品比電阻Rs
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